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一種含有鎳鉻歐姆電極的GaAs1-xPx光陰極弱腐蝕方法
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | 201418003773.6 | IPC分類 | H01 |
| 申請(qǐng)日 | 2014-08-06 | 授權(quán)公告日 | 2017-12-29 |
| 發(fā)明人 | |||
| 專利權(quán)人1 | 中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)第二一一研究所 | ||
| 專利權(quán)人1地址 | |||
| 代理人1 | 法律狀態(tài) | ||